CODEXIS® Přihlaste se ke svému účtu
CODEXIS® ... 43/1997 Sb. Vyhláška, kterou se provádí zákon č. 21/1997 Sb., o kontrole vývozu a dovozu zboží a technologií podléhajících mezinárodním kontrolním režimům 3A Systémy, zařízení a součásti

3A Systémy, zařízení a součásti

43/1997 Sb. Vyhláška, kterou se provádí zákon č. 21/1997 Sb., o kontrole vývozu a dovozu zboží a technologií podléhajících mezinárodním kontrolním režimům

3A Systémy, zařízení a součásti

Poznámka 1: Kontrolní režim zařízení a součástí popsaných ve 3A001

nebo 3A002 jiných než popsaných v 3A001.a. až

3A001.a.10. nebo 3A001.a.12., která jsou speciálně

konstruovaná nebo které mají totožné funkční

charakteristiky jako jiná zařízení, je určen kontrolním

režimem těchto jiných zařízení.

Poznámka 2. Kontrolní režim integrovaných obvodů popsaných ve

3A001.a.3. až 3A001.a.9. nebo 3A001.a.12., které jsou

pevně naprogramovány nebo vyvinuty pro specifickou funkci

v jiných zařízeních, podléhají kontrolním režimům těchto

jiných zařízení.

POZN.:

Pokud výrobce nebo žadatel nemůže určit kontrolní režim jiného zařízení,

řídí se kontrolní režim integrovaných obvodů podle 3A001.a.3. až

3A001.a.9. a 3A001.a.12. Pokud integrovaný obvod na křemíkové podložce

je "mikropočítačový mikroobvod" nebo mikroregulátorový mikroobvod

popsaný ve 3A001.a.3. a má délku slova operandů resp. dat 8 bitů nebo

méně, je kontrolním režim integrovaného obvodu určen ve 3A001.a.3.

3A001 Elektronické součásti:

a. Integrované obvody pro všeobecné použití:

Poznámka 1: Kontrolní režim polovodičových destiček (dokončených

nebo nedokončených) s určenou funkcí se řídí podle parametrů

uvedených ve 3A001.a.

Poznámka 2: Do integrovaných obvodů patří tyto typy:

"Monolitické integrované obvody";

"Hybridní integrované obvody";

"Vícečipové integrované obvody";

"Integrované obvody vrstvového typu" včetně křemíkových

obvodů na safírové podložce;

"Optické integrované obvody".

1. Integrované obvody, navržené nebo klasifikované jako

radiačně odolné, které vydrží:

3

a. Celkovou radiační dávku 5 x 10 Gy (Si) nebo vyšší; nebo

6

b. Rychlost dávky 5 x 10 Gy/s (Si) nebo vyšší;

2. "Mikroprocesorové mikroobvody", "mikropočítačové

mikroobvody", mikroregulátorové mikroobvody,paměťové

integrované obvody vyrobené ze složených polovodičů,analogově

číslicové a číslicově analogové převodníky, elektricko-optické

nebo "optické integrované obvody" pro "zpracování signálu",

programovatelná logická pole, integrované obvody neuronových sítí,

zákaznické integrované obvody, pro které buď není známa funkce nebo

není znám kontrolní režim zařízení, ve kterém bude integrovaný

obvod použit, procesory pro Fourierovu rychlou transformaci

(FFT), elektricky vymazatelné programovatelné permanentní paměti

(EEPROMs),vyrovnávací paměti flash nebo statické paměti s

náhodným výběrem (SRAMs), které:

a. Jsou určeny k provozu při okolní teplotě nad 398

K (125 °C);

b. Jsou určeny k provozu při okolní teplotě pod 218

K (- 55 °C); nebo

c. Jsou určeny k provozu v celém intervalu okolních

teplot od 218 K (- 55 °C) do 398 K (125 °C);

Poznámka: 3A001.a.2. neplatí pro integrované obvody pro civilní automobily

nebo pro použití v železničních vlacích.

3. "Mikroprocesorové mikroobvody", "mikropočítačové mikroobvody"

a mikroregulátorové mikroobvody, které mají některou z dále

uvedených charakteristik:

Poznámka: 3A001.a.3. zahrnuje číslicové signálové procesory, číslicové

maticové procesory a číslicové koprocesory.

a. "Složený teoretický výkon" ("CTP") 6500 Mtops nebo více

a aritmeticko-logickou jednotku s přístupovou šířkou 32 bitů

nebo více;

b. Jsou vyrobeny ze složených polovodičů a pracují při

hodinových frekvencích převyšujících 40 MHz; nebo

c. Více než jednu datovou nebo instrukční sběrnici nebo sériový

komunikační vstupní kanál pro vnější propojení v rámci

paralelního procesoru s přenosovou rychlostí přesahující

2,5 MByte/s;

4. Paměťové integrované obvody vyrobené ze složených polovodičů;

5. Integrované obvody analogově číslicových a číslicově

analogových převodníků, a to:

a) Analogově číslicové převodníky, které mají

některou z dále uvedených charakteristik:

Viz také 3A101

1. Rozlišení 8 bitů nebo větší, ale menší než 12

bitů, s 'celkovou dobu převodu' menší než 10 ns;

2. Rozlišení 12 bitů s 'celkovou dobou převodu'

menší než 200 ns; nebo

3. Rozlišení větší než 12 bitů s 'celkovou dobou převodu'

menší než 2 μs;

b) Číslicově-analogové převodníky s rozlišením 12 bitů

nebo větším a "dobou ustálení" menší než 10 ns;

Technické poznámky:

n

1. Rozlišení n bitů odpovídá kvantizaci 2 stavu.

2. 'Celková doba převodu' je obrácená hodnota

rychlosti snímání (sample rate).

6. Elektro-optické a "optické integrované obvody" pro

"zpracování signálu", které mají všechny dále uvedené

charakteristiky:

a) Jednu nebo více vnitřních "laserových" diod;

b) Jeden nebo více vnitřních prvků pro detekci

světla; a

c) Optické vlnovody;

7. Uživatelem programovatelná logická zařízení,

která mají některou z dále uvedených charakteristik:

a) Ekvivalentní počet využitelných hradel větší než

30 000 (dvouvstupová hradla); nebo

b) Typickou "dobu zpoždění základního hradla" menší

než 0,4 ns; nebo

c) Překlápěcí frekvenci (toggle frequency) přesahující

133 MHz;

Poznámka:

3A001.a.7. zahrnuje:

- Jednoduchá programovatelná logická zařízení (SPLDs)

- Složitá programovatelná logická zařízení (CPLDs)

- Programovatelná hradlová pole (FPGAs)

- Programovatelná logická pole (FPLAs)

- Programovatelné vnitřní spoje (FPICs)

POZN.:

Uživatelem programovatelná logická zařízení (Field

Programmable Logic Devices) jsou také známa jako

uživatelem programovatelná hradla (Field programmable

gates) nebo uživatelem programovatelná logická pole

(Field programmable logic arrays)

8. Nevyužito;

9. Integrované obvody pro neuronové sítě;

10. Zákaznické integrované obvody, jejichž funkce není

známá nebo kontrolní režim zařízení, ve kterém budou

integrované obvody použity není výrobci znám,

a které mají některou z dále uvedených charakteristik:

a) Více než 208 vývodů;

b) Typickou "dobu zpoždění základního hradla" menší

než 0,35 ns; nebo

c) Pracovní kmitočet větší než 3 GHz;

11. Číslicové integrované obvody jiné než popsané v

3A001.a.3. až 3A001.a.10. a 3A001.a.12., které

jsou založeny na jakémkoli složeném polovodiči, a

které mají některou z dále uvedených charakteristik:

a) Ekvivalentní počet hradel větší než 3000

(dvouvstupová hradla); nebo

b) Překlápěcí frekvenci překračující 1,2 GHz;

12. Procesory pro rychlou Fourierovu transformaci ("FFT"),

které mají některou z dále uvedených charakteristik:

a) Provádějí 1024 bodovou komplexní "FFT" za méně

než 1 ms;

b) Provádějí N bodovou komplexní "FFT" (pokud je N

jiné než 1024 bodů) za méně než N log2 N/10240 ms,

kde N je počet bodů;

c) Provádějí motýlkové operace ("butterfly throughput")

s frekvencí vyšší než 5,12 MHz;

b) Mikrovlnná zařízení nebo zařízení pracující s

milimetrovými vlnami:

1. Vakuové elektronky a jejich katody:

Poznámka:

3A001.b.1. nekontroluje elektronky konstruované nebo

určené pro činnost v civilních telekomunikačních pásmech

přidělených podle ITU při kmitočtech nepřesahujících

31 GHz.

a) Elektronky s postupnou vlnou, impulsovou nebo

trvalou vlnou, s těmito charakteristikami:

1. Pracující při kmitočtech vyšších než 31 GHz;

2. Mající topný prvek katody s dobou náběhu na

jmenovitý RF výkon menší než 3 s;

3. Elektronky s vázanou dutinou nebo jejich

deriváty s "okamžitou šířkou pásma" více než 7

% nebo špičkovým výkonem převyšujícím 2,5 kW;

4. Elektronky s postupnou vlnou a elektrodou ve

tvaru šroubovice nebo jejich deriváty, které

mají některou z dále uvedených charakteristik:

a) "Okamžitou šířku pásma" větší než 1 oktáva

při součinu jmenovitého průměrného výkonu

(v kW) a kmitočtu (v GHz) větším než 0,5;

b) "Okamžitou šířku pásma" menší nebo rovnající

se 1 oktávě při součinu jmenovitého průměrného

výkonu (v kW) a kmitočtu (v GHz) větším než 1; nebo

c) Jsou "vhodné pro kosmické aplikace";

b) Zesilovací elektronky se zkříženými poli o zisku

větším než 17 dB;

c) Impregnované katody vyvinuté pro elektronky, k výrobě

trvalé emisní proudové hustoty při jmenovitých

pracovních podmínkách přesahujících 5 A/cm2;

2. Mikrovlnné integrované obvody, které

a. Obsahují "monolitické integrované obvody"; a

b. Pracující při kmitočtech větších než 3 GHz;

Poznámka:

Položka 3A001.b.2. nekontroluje obvody nebo moduly

pro zařízení konstruované nebo určené pro činnost v

civilních telekomunikačních pásmech přidělených podle

ITU při kmitočtech nepřesahujících 31 GHz.

3. Mikrovlnné tranzistory dimenzované pro provoz na

kmitočtech přesahujících 31 GHz;

4. Mikrovlnné zesilovače v pevné fázi mající některou

z dále uvedených charakteristik:

a) Pracovní kmitočty vyšší než 10,5 GHz, a

"okamžitou šířku pásma" větší než je

polovina oktávy; nebo

b) Pracovními kmitočty vyšší než 31 GHz;

5. Elektronicky nebo magneticky laditelné pásmové

propustě nebo zdrže, které mají více než 5

laditelných resonátorů s možností ladění 1,5:1 přes

kmitočtové pásmo (fmax/fmin) za méně než 10

μs a které mají jednu z dále uvedených vlastností:

a) Šířku pásma propustě více než 0,5 % středového

kmitočtu; nebo

b) Šířku pásma zdrže méně než 0,5 % středového

kmitočtu;

6. Mikrovlnné montážní celky schopné pracovat při

kmitočtech větších než 31 GHz;

7. Směšovače a konvertory vyvinuté k rozšíření

kmitočtového rozsahu zařízení popsaných v 3A002.c.,

3A002.e. nebo 3A002.f. nad tam uvedené mezní hodnoty;

8. Mikrovlnné zesilovače výkonu obsahující elektronky

specifikované ve 3A001.b. a mající všechny dále uvedené

charakteristiky:

a) Pracovní kmitočet nad 3 GHz;

b) Průměrná výstupní hustota výkonu přesahující 80 W/kg; a

c) Objem menší než 400 cm3;

Poznámka:

3A001.b.8. nekontroluje zařízení konstruované nebo

určené pro činnost v civilních telekomunikačních

pásmech přidělených podle ITU.

c) Zařízení s akustickou vlnou a speciálně pro ně

konstruované, dále uvedené, součásti:

1. Zařízení s povrchovou akustickou vlnou a s

podpovrchovou akustickou vlnou (tj. zařízení na

"zpracování signálu", používající akusticko-mechanických

vibrací (elastických vln) v materiálech), a které mají

některou z dále uvedených charakteristik:

a) Nosný kmitočet větší než 2,5 GHz;

b) Nosný kmitočet přesahující 1 GHz, ale nepřesahující

2,5 GHz; a mající některou z dále uvedených

charakteristik:

1. Potlačení postranních laloků kmitočtu větší

než 55 dB;

2. Součin maximální doby zpoždění a šířky pásma

(doba v mikrosekundách a šířka pásma v MHz) větší

než 100;

3. Šířka pásma větší než 250 MHz; nebo

4. Disperzní zpoždění větší než 10 μs; nebo

c) Nosný kmitočet 1 GHz nebo nižší s některou z dále

uvedených charakteristik:

1. Součin maximální doby zpoždění a šířky pásma

(doba v mikrosekundách a šířka pásma v MHz) větší

než 100;

2. Disperzní zpoždění větší než 10 μs; nebo

nebo

3. Potlačení postranních laloků kmitočtu větší

než 55 dB a šířku pásma větší než 50 MHz;

2. Zařízení s prostorovou akustickou vlnou (tj.

zařízení na "zpracování signálu", která používají

elastické vlny), jež dovolují přímé zpracování

signálů při kmitočtech přesahujících 1 GHz;

3. Akusticko-optická zařízení na "zpracování signálu",

která používají interakci mezi akustickými vlnami

(prostorovými nebo povrchovými) a světelnými vlnami

dovolující přímé zpracování signálů nebo obrazů,

včetně spektrální analýzy, korelace nebo konvoluce;

d. Elektronická zařízení a obvody obsahující součástky vyrobené

ze "supravodivých" materiálů speciálně určených pro

činnost při teplotách pod "kritickou teplotou" alespoň

jedné ze "supravodivých" složek, které mají některou

některou z dále uvedených charakteristik:

1. Spínání proudu pro číslicové obvody používající

"supravodivá" hradla se součinem doby zpoždění na

jedno hradlo (v sekundách) a ztráty výkonu na

jedno hradlo (ve wattech)

-14

menším než 10 J; nebo

3. Frekvenční selekci při všech kmitočtech, kde jsou

použity resonanční obvody s hodnotami

jakosti Q přesahujícími 10 000;

e. Vysokoenergetická zařízení dále uvedená:

1. Baterie a foto-voltaické generátory:

Poznámka:

Položka 3A001.e. nekontroluje baterie s objemy

rovnajícími se nebo menšími než 27 cm3 (např.

standardní články nebo baterie R14).

a) Primární články a baterie, které mají hustotu

energie přesahující 480 Wh/kg a dimenzované pro

provoz v teplotním rozmezí od méně než 243 K

(-30 °C) do více než 343 K (+70 °C);

b. Opakovaně nabíjitelné články a baterie, které

mají 'hustotu energie' přesahující 150 Wh/kg po 75

cyklech nabití/vybití při vybíjecím proudu C/5

hodin (kde C je jmenovitá kapacita v

ampérhodinách), když pracují v teplotním rozmezí

od méně než 253 K (-20 °C) do více než 333 K

(+60 °C);

Technická poznámka:

'Hustota energie' se získá násobením průměrného výkonu

ve wattech (průměrné napětí ve voltech krát průměrný

proud v ampérech) dobou vybíjení v hodinách na 75

% naprázdno a vydělením celkovou hmotností

článku (nebo baterie) v kg.

c. "Vhodné pro kosmické aplikace" a radiačně odolná

pole fotočlánků s měrným výkonem přesahujícím 160

W/m2 při pracovní teplotě 301 K (28 °C) při

osvětlení wolframovou žárovkou o světelném toku

1 kW/m2 a teplotě vlákna 2 800 K (2 527 °C);

2. Vysokoenergetické akumulační kondenzátory:

Viz také 3A201.a.

a. Kondenzátory s opakovacím kmitočtem méně než 10

Hz (jednorázové akumulační kondenzátory), které

mají všechny dále uvedené charakteristiky:

1. Jmenovité napětí rovné nebo větší než 5 kV;

2. Hustotu energie rovnou nebo větší než 250 J/kg; a

3. Celkovou energii rovnou nebo větší 25 kJ;

b. Kondenzátory s opakovacím kmitočtem 10 Hz nebo

větším (repetition reted capacitors), které mají

všechny dále uvedené charakteristiky:

1. Jmenovité napětí rovné nebo větší než 5 kV;

2. Hustotu energie rovnou nebo větší než 50 J/kg;

3. Celkovou energii rovnou nebo větší než 100 J; a

4. Životnost rovnou nebo větší než 10 000 cyklů

nabití/vybití;

3. "Supravodivé" elektromagnety nebo solenoidy

speciálně konstruované k plnému nabití nebo vybití

za méně než jednu sekundu, které mají všechny dále

uvedené charakteristiky:

Viz také 3A201.b.

Poznámka: 3A001.e.3. nekontroluje "supravodivé" elektromagnety

nebo solenoidy speciálně konstruované pro lékařské přístroje

k zobrazování magnetické rezonance (MRI).

a. Energii dodanou během vybití překračující 10 kJ během

první sekundy;

b. Vnitřní průměr vinutí vedoucích proud větší než

250 mm; a

c. Jsou dimenzovány pro magnetickou indukci větší než 8 T

nebo "celkovou proudovou hustotu" ve vinutí větší

než 300 A/mm2;

f. Snímače absolutní polohy se vstupem z otočného hřídele,

které mají některou z dále uvedených charakteristik:

1. Rozlišení lepší než 1/265 000 (rozlišení 18 bitů) z

celého rozsahu stupnice; nebo

2. Přesnost lepší než ± 2,5 úhlové vteřiny.

3A002 Univerzální elektronická zařízení;

a. Záznamová zařízení a pro ně speciálně konstruované zkušební

pásky:

1. Analogové přístrojové magnetopásková záznamníky, včetně

takových, které dovolují záznam číslicových signálů

(například používající modul s vysokou hustotou

číslicového záznamu (HDDR)), které mají některou

z dále uvedených charakteristik:

a. Šířku pásma překračující 4 MHz na jeden elektronický

kanál nebo stopu;

b. Šířku pásma překračující 2 MHz na jeden elektronický

kanál nebo stopu a které mají více než 42 stop; nebo

c. Chybu (základní) časového posunu vůči časovému základu

(time displacement (base) error), měřenou v souladu

s příslušnými dokumenty IRIG (Inter Range

Instrumentation Group) nebo EIA (Elektronic Industries

Association), menší než ± 0,1 μs;

Poznámka:

Analogové magnetopáskové záznamníky speciálně konstruované pro

civilní videozáznamy nejsou považovány za přístrojové

záznamové magnetopáskové záznamníky.

2. Číslicové videorekordéry s magnetickou páskou, které

mají maximální přenosovou rychlost na číslicovém

rozhraní překračující 360 Mbit/s;

Poznámka: 3A002.a.2 nekontroluje číslicové videorekordéry s magnetickou

páskou speciálně konstruované pro televizní záznam

používající formát signálu, který může zahrnovat stlačený

formát signálu podle normy nebo doporučení ITU, IEC, SMPTE,

EBU nebo IEEE pro civilní televizní užití;

3. Číslicové přístrojové magnetopáskové přístroje, které

používají techniku spirálového snímání nebo techniku

pevných hlav a mají některou z dále uvedených charakteristik:

a. Přenosovou rychlost číslicového rozhraní přesahující

175 Mbit/s; nebo

b. Jsou "vhodné pro kosmické aplikace";

Poznámka: 3A002.a.3. nekontroluje analogové magnetopáskové záznamníky

vybavené převodní elektronikou typu HDDR v konfiguraci pro

záznam pouze číslicových dat.

4. Zařízení s přenosovou rychlostí číslicového rozhraní

překračující 175 Mbit/s, která jsou určena k tomu, aby

umožnila použití číslicových videorekordérů s magnetickou

páskou jako číslicových přístrojových záznamníků dat;

5. Digitizéry vlnových průběhů a záznamníky převodových

přechodových dějů, které mají obě dále uvedené

charakteristiky:

a. Rychlost digitalizace rovnou nebo větší než 200 milionů

vzorků za sekundu při rozlišení nejméně 10 bitů; a

b. Spojitý průběh dat 2 Gbit/s nebo více;

Technická poznámka:

Pro přístroje tohoto typu s architekturou paralelních sběrnic je

rychlost spojitého přenosu definována jako součin nejvyšší rychlosti

přenosu slov násobená počtem bitů ve slově. Spojitý přenos je nejvyšší

rychlost přenosu dat, při níž je přístroj schopen dodávat data do

velkokapacitní paměti bez ztráty jakékoliv informace a při zachování

vzorkovací rychlosti analogově-číslicové převoditelnosti.

b. "Elektronické sestavy" "kmitočtových syntetizátorů", které

mají "dobu přepínání kmitočtu" z jednoho vybraného kmitočtu

na druhý menší než 1 ms;

c. "Analyzátory signálu":

1. "Analyzátory signálu" schopné analyzovat kmitočty

přesahující 31 GHz;

2. "Dynamické analyzátory signálu" mající "šířku pásma v

reálném čase" přesahující 25,6 kHz;

Poznámka: 3A002.c.2. nekontroluje takové "dynamické analyzátory signálu",

které používají pouze pásmové filtry s konstantním procentem

(známé také jako oktávové filtry nebo filtry se zlomky oktáv).

d. Generátory signálů na bázi syntetizátorů kmitočtu

produkující výstupní kmitočty, jejichž přesnost a

krátkodobá a dlouhodobá stabilita jsou řízeny vnitřním

hlavním kmitočtem nebo jsou od něj odvozeny či upraveny,

a které mají některou z dále uvedených charakteristik:

1. Maximální syntetizovaný kmitočet přesahující 31 GHz;

2. "Dobu přepínání kmitočtu" z jednoho vybraného kmitočtu na

druhý menší než 1 ms; nebo

3. Fázový šum s jedním postranním pásmem ("SSB") lepší

než (126 + 20 log F - 20 log f) v dBc/Hz, kde F

10 10

je posun od pracovního kmitočtu v Hz a f je pracovní

kmitočet v MHz;

Poznámka: 3A002.d. nekontroluje zařízení, v němž je výstupní kmitočet

buď produkován sečtením nebo odečtením dvou nebo více

krystalem řízených kmitočtů nebo jejich sečtením či

odečtením, po kterém se výsledek násobí.

e. Síťové analyzátory s maximálním pracovním kmitočtem

překračujícím 40 GHz;

f. Mikrovlnné zkušební přijímače, které mají obě dále uvedené

charakteristiky:

1. Maximální pracovní kmitočet větší než 40 GHz,

2. Schopnost měřit současně amplitudu a fázi;

g. Atomové kmitočtové normály mající některou z dále uvedených

charakteristik:

1. Dlouhodobou stabilitu (stárnutí) menší (lepší)

-11

než 1 x 10 /měsíc; nebo

2. Jsou "vhodné pro kosmické aplikace";

Poznámka:

3A002.g.1. nekontroluje rubidiové normály,

které nejsou "vhodné pro kosmické aplikace".

3A101 Elektronická zařízení, přístroje a součásti, jiné než uvedené

ve 3A001:

a. Analogově digitální převodníky, použitelné v "raketách",

konstruované tak, aby splňovaly vojenské specifikace pro

robustní zařízení;

b. Urychlovače schopné dodávat elektromagnetické záření

produkované brzdným zářením z urychlených elektronů 2

MeV nebo větší a systémy obsahující tyto urychlovače.

Poznámka: 3A101.b. nespecifikuje zařízení speciálně konstruované

pro lékařské účely.

3A201 Elektronické součásti, jiné než specifikované ve 3A001:

a. Kondenzátory mající jednu z dále uvedených kombinací

charakteristik:

1. a. Pracovní napětí větší než 1,4 kV;

b. Uchovaná energie větší než 10 J;;

c. Kapacita větší než 500 μF; a

d. Sériová induktance menší než 50 nH; nebo

2. a. Pracovní napětí větší než 750 V;

b. Kapacita větší než 250 μF; a

c. Sériová induktance menší než 10 nH;

b. Supravodivé solenoidní elektromagnety mající všechny dále

uvedené charakteristiky:

1. Schopné vytvořit magnetické pole větší než 2 T;

2. S poměrem L/D (délka dělená vnitřním poloměrem)

větším než 2;

3. S vnitřním průměrem větším než 300 mm; a

4. S rovnoměrností magnetického pole lepší než 1 % na

středových 50 % vnitřního objemu;

Poznámka: 3A201.b. nekontroluje magnety speciálně konstruované

a exportované "jako součásti" lékařských snímkovacích

systémů s nukleární magnetickou rezonancí (NMR). Výraz

"jako součásti" nemusí nezbytně znamenat fyzickou součást

v rámci stejné dodávky; oddělené dodávky z různých zdrojů

jsou povoleny za předpokladu, že příslušná vývozní

dokumentace jasně vymezuje vztah těchto dodávek "jako

součástí" snímkovacího systému.

c. Zábleskově rentgenové generátory nebo pulsní elektronové

urychlovače mající některou z dále uvedených kombinací

charakteristik:

1. a. Urychlovače mající maximum energie elektronů 500 keV

nebo větší; avšak menší než 25 MeV; a

b. S "účinností" (K) 0.25 nebo vyšší; nebo

2. a. Urychlovače mající maximum energie elektronů 25 MeV

nebo větší; a

b. "Špičkový výkon" větší neež 500 MW.

Poznámka: 3A201.c. nekontroluje urychlovače, které jsou součástmi

přístrojů, které byly vyvinuty pro jiné účely než je

elektronové nebo rentgenové ozařování (např. elektronová

mikroskopie) nebo přístrojů vyvinutých pro lékařské účely.

Technické poznámky:

1. "Účinnost" K je definována jako:

3 2,65

K = 1,7 x 10 V Q

V je maximální energie elektronů v megaelektronvoltech.

Jestliže doba trvání pulsu paprsku urychlovače je menší nebo

rovna 1 mikrosekundě, pak Q je celkový urychlený náboj v coulombech.

Pokud doba trvání pulsu paprsku urychlovače je větší než 1

μs, pak Q je maximální urychlený náboj v jedné mikrosekundě.

Q je rovno integrálu i podle t pro dobu méně než 1 μs

nebo dobu trvání pulsu (Q = ∫ idt), kde i je proud paprsku

v ampérech a t je doba v sekundách.

2. "Špičkový výkon" = (špičkové napětí ve voltech) x (špičkový proud

paprsku v ampérech).

3. Ve strojích založených na mikrovlnných urychlovacích dutinách je

doba trvání pulsu paprsku menší než 1 μs nebo doba

trvání dávky svazku paprsků vyvolaných jedním pulsem mikrovlnného

modulátoru.

4. Ve strojích založených na mikrovlnných urychlovacích dutinách je

špičkový proud paprsku průměrný proud po dobu trvání dávky

svazku paprsků.

3A225 Měniče kmitočtů nebo generátory, jiné než specifikované v

0B001.b.13., které mají všechny dále uvedené charakteristiky:

a. Vícefázový výstup s výkonem 40 W nebo větším;

b. Schopné provozu při frekvenčním rozsahu 600 až 2000 Hz;

c. Celkové harmonické zkreslení lepší (menší) než 10 %; a

d. Řízení kmitočtu lepší než 0,1 %.

Technická poznámka:

Měniče kmitočtů ve 3A225 jsou také známy jako konvertory nebo

invertory.

3A226 Zdroje stejnosměrného proudu o vysokém výkonu, jiné

než specifikované v 0B001.j.6., mající obě dále uvedené

charakteristiky:

a. Schopnost nepřetržitého provozu déle než 8 hodin při

napětí 100 V nebo větším a výstupnímu proudu 500 A nebo

větším; a

b. Se stabilitou proudu nebo napětí lepší než 0,1 % po dobu

8 hodin.

3A227 Zdroje stejnosměrného proudu o vysokém napětí, jiné než

specifikované ve 0B001.j.5., mající obě z dále uvedených

charakteristik:

a. Schopnost nepřetržitého provozu déle než 8 hodin, při

napětí 20 kV nebo větším a výstupním proudu 1 A nebo

větším; a

b. Se stabilitou proudu nebo napětí lepší než 0,1 % po dobu

8 hodin.

3A228 Spínací zařízení, dále uvedená:

a. Elektronky se studenou katodou, buď plněné nebo neplněné

plynem pracující podobně jako jiskřiště, které mají

všechny dále uvedené charakteristiky:

1. Obsahují tři nebo více elektrod;

2. Špičkové anodové napětí 2500 V nebo více;

3. Špičkový anodový proud, 100 A nebo více; a

4. Anodové zpoždění 10 μs nebo méně;

Poznámka: 3A228 zahrnuje plynové krytronové elektronky a vakuové

sprytronové elektronky.

b. Spouštěcí jiskřiště mající obě z dále uvedených

charakteristik:

1. Anodové zpoždění 15 μs nebo menší; a

2. Špičkový proud 500 A nebo větší;

c. Moduly nebo montážní celky s rychlou spínací funkcí mající

všechny dále uvedené charakteristiky:

1. Špičkové anodové napětí větší než 2 kV;

2. Špičkový anodový proud 500 A nebo větší; a

3. Spínací čas 1 μs nebo menší.

3A229 Odpalovací zařízení a ekvivalentní vysokoproudé pulsní

generátory:

Viz také Seznam vojenského materiálu.

a. Explosivní rozbuškové odpalovací systémy vyvinuté pro řízení

vícenásobně řízených rozněcovačů specifikovaných v 3A232;

b. Modulární elektrické pulsní generátory (pulsovače) mající

všechny dále uvedené charakteristiky:

1. Konstruované pro přenosné a mobilní použití nebo použití

ve ztížených podmínkách;

2. Uzavřené v prachotěsném obalu;

3. Schopnost předat svou energii v méně než 15 μs;

4. Mající výstup větší než 100 A;

5. Mající "náběhový čas" menší než 10 μs při

zatížení menším než 40 Ω;

6. Žádný rozměr nepřesahuje 254 mm;

7. Hmotnost menší než 25 kg; a

8. Určeny pro použití v rozšířeném teplotním rozmezí

223 K (-50 °C) až 373 K (100 °C) nebo určeny jako vhodné

pro letecké a kosmické použití.

Poznámka: 3A229 zahrnuje budiče pro xenonové výbojky.

Technická poznámka:

V 3A229.b.5 "náběhový čas" je definován jako časový interval

od 10 % do 90 % proudové amplitudy při odporovém zatížení.

3A230 Vysokorychlostní pulsní generátory mající obě z dále

uvedených charakteristik:

a. Výstupní napětí větší než 6 V při odporovém zatížení

menším než 55 Ω; a

b. "Pulsní přechodový čas" menší než 500 ps.

Technická poznámka:

V 3A230 je "pulsní přechodový čas" definován jako časový interval

mezi 10 % a 90 % napěťové amplitudy.

3A231 Systémy generující neutrony mající

obě z dále uvedených charakteristik:

a. Konstruované pro provoz bez vnějšího vakuového systému; a

b. Využívající elektrostatické zrychlení k vyvolání

tritium-deuteriové jaderné reakce.

3A232 Rozněcovače a vícebodové rozbuškové systémy:

Viz také Seznam vojenského materiálu.

a. Elektricky řízené rozněcovače:

1. Výbušný můstek (EB);

2. Odpalovací můstkový odpor (EBW);

3. Nárazové rozbušky;

4. Výbušné fóliové rozbušky (EFI);

b. Zařízení využívající jednoduché nebo násobné rozbušky

konstruované pro téměř současné odpálení výbušného

povrchu (více než 5000 mm2) jedním signálem k odpálení

s rozšířením přes celý povrch za méně než 2,5 μs).

Poznámka: 3A232 nekontroluje rozbušky používající pouze primární

výbušniny, jako je azid olovnatý.

Technická poznámka:

Rozbušky kontrolované 3A232 používají drobné elektrické vodiče

(můstky, můstkové dráty nebo fólie), které se explozivně odpařují,

když jimi projde rychlý elektrický impuls o vysokém proudu. V

nenárazových typech nastartuje výbušný vodič chemickou detonaci

při dotyku s vysoce explozivní látkou jako je PETN

(pentaerytritol-tetranitrát). V nárazových rozbuškách přirazí

explozivní odpařování elektrického vodiče nárazník přes mezeru

a dopad nárazu nastartuje chemickou detonaci. Nárazník je v

některých typech spouštěn magnetickou silou. Výraz výbušná fólie

může označovat jak odpalovací můstek (EB), tak i rozbušku nárazovou.

Slovo iniciátor se někdy používá místo slova rozbuška.

3A233 Hmotnostní spektrometry, jiné než specifikované v 0B002.g.,

schopné měřit ionty o 230 atomových hmotnostních jednotkách

(amu) nebo větší a mající rozlišovací schopnost lepší než 2

částice při 230, jak jsou dále uvedeny, a iontové zdroje

k tomu účelu:

a. Plazmové hmotnostní spektrometry s induktivní vazbou

(ICP/MS);

b) Hmotnostní spektrometry s doutnavým výbojem (GDMS);

c) Hmotnostní spektrometry s tepelnou ionizací (TIMS);

d) Hmotnostní spektrometry s elektronovým ostřelováním,

které mají komoru zdroje zhotovenou z materiálu

odolného proti působení UF nebo takovým materiálem

6

pokrytou nebo vyloženou;

e) Hmotnostní spektrometry s molekulovým paprskem, které

mají:

1. Komoru zdroje zhotovenou z nerezové oceli nebo

molybdenu a mají vymrazovací kapsu schopnou

chlazení na 193 K (-80 °C) nebo méně; nebo

2. Komoru zdroje zhotovenou z materiálu odolného proti

působení UF nebo takovým materiálem pokrytou nebo

6

vyloženou;

f) Hmotnostní spektrometry vybavené mikrofluorizačním

iontovým zdrojem, konstruované pro aktinidy

nebo fluoridy aktinidů.