3E003
Jiné "technologie" pro "vývoj" nebo "výrobu":
a. Vakuových mikroelektronických součástek;
b. Heterostrukturních polovodičových součástek jako jsou tranzistory s vysokou pohyblivostí elektronů (HEMT), hetero-bipolární tranzistory (HBT) součástky využívající kvantových jevů (quantum well) a součástky se supermřížkami;
c. "Supravodivých" elektronických součástek;
d. "Podložek" z diamantových vrstev pro elektronické součástky;
e. Křemíkových "podložek" s izolátorem pro integrované obvody, kde izolátorem je oxid křemičitý;
f. "Podložek" z karbidu křemíku pro elektronické součástky;
g. Vakuových elektronek pracujících při kmitočtu 31 GHz nebo vyšším.