3A001

3A001

Elektronické součásti:

a. Integrované obvody pro všeobecné použití:

Poznámka 1:

Kontrolní režim polovodičových destiček (dokončených nebo nedokončených) s určenou funkcí se řídí podle parametrů uvedených ve 3A001.a.

Poznámka 2:

Do integrovaných obvodů patří tyto typy:

"Monolitické integrované obvody";

"Hybridní integrované obvody";

"Vícečipové integrované obvody";

"Integrované obvody vrstvového typu", včetně křemíkových obvodů na safírové podložce;

"Optické integrované obvody".

1. Integrované obvody, navržené nebo klasifikované jako radiačně odolné, které vydrží:

a. Celkovou radiační dávku

3

5 x 10 Gy (Si) nebo vyšší;

b. Rychlost dávky

6

5 x 10 Gy/s (Si) nebo vyšší; nebo

c. Kontinuální (integrovaný) tok neutronů (ekvivalent 1 MeV)

13

5 x 10 n/cm2 nebo vyšší

na křemíkové podložce nebo jeho ekvivalent pro jiné materiály.

Poznámka:

3A001.a.1.c. neplatí pro kov-izolant-polovodiče (MIS).

2. "Mikroprocesorové mikroobvody", "mikropočítačové mikroobvody", mikroregulátorové mikroobvody, paměťové integrované obvody vyrobené ze složených polovodičů, analogově číslicové a číslicově analogové převodníky, elektro-optické nebo "optické integrované obvody" pro "zpracování signálů", programovatelná logická pole, integrované obvody neuronových sítí, zákaznické integrované obvody, pro které buď není známa funkce nebo není znám kontrolní režim zařízení, ve kterém bude integrovaný obvod použit, procesory pro Fourierovu rychlou transformaci (FFT), elektricky vymazatelné programovatelné permanentní paměti (EEPROMs), vyrovnávací paměti flash nebo statické paměti s náhodným výběrem (SRAMs), které jsou:

a. Určeny k provozu při okolní teplotě nad 398 K (125 °C);

b. Určeny k provozu při okolní teplotě pod 218 K (-55 °C); nebo

c. Určeny k provozu v celém intervalu okolních teplot od 218 K (-55 °C) do 398 K (125 °C);

Poznámka:

3A001.a.2. neplatí pro integrované obvody pro civilní automobily nebo použití v železničních vlacích.

3. "Mikroprocesorové mikroobvody", "mikropočítačové mikroobvody" a mikroregulátorové mikroobvody, které mají některou z dále uvedených charakteristik:

Poznámka:

3A001.a.3. zahrnuje číslicové signální procesory, číslicové maticové procesory a číslicové koprocesory.

a. Nevyužito;

b. Jsou vyrobeny ze složených polovodičů a pracují při hodinových frekvencích přesahujících 40 MHz; nebo

c. Více než jednu datovou nebo instrukční sběrnici nebo sériový komunikační vstupní kanál, který umožňuje přímé vnější propojení mezi paralelními "mikroprocesorovými mikroobvody" s přenosovou rychlostí přesahující 150 Mbyte/s;

4. Paměťové integrované obvody vyrobené ze složených polovodičů;

5. Integrované obvody analogově číslicových a číslicově analogových převodníků:

a. Analogově číslicové převodníky, které mají některou z dále uvedených charakteristik:

Viz také 3A101

1. Rozlišení 8 bitů nebo větší, ale menší než 12 bitů, s 'celkovou dobu převodu' menší než 5 ns;

2. Rozlišení 12 bitů s 'celkovou dobou převodu' menší než 20 ns;

3. Rozlišení větší než 12 bitů, ale rovno nebo menší než 14 bitů s 'celkovou dobou převodu' menší než 200 ns; nebo

4. Rozlišení větší než 14 bitů s 'celkovou dobou převodu' menší než 1 μs.

b. Číslicově-analogové převodníky s rozlišením 12 bitů nebo větším a "dobou ustálení" menší než 10 ns;

Technické poznámky:

1. Rozlišení n bitu odpovídá kvantizaci

n

2 stavu.

2. 'Celková doba převodu' je obrácená hodnota rychlosti snímání (sample rate).

6. Elektro-optické a "optické integrované obvody" pro "zpracování signálů", které mají všechny dále uvedené charakteristiky:

a. Jednu nebo více vnitřních "laserových" diod;

b. Jeden nebo více vnitřních prvků pro detekci světla; a

c. Optické vlnovody;

7. Uživatelem programovatelná logická zařízení, která mají některou z dále uvedených charakteristik:

a. Ekvivalentní počet využitelných hradel větší než 30000 (dvouvstupová hradla);

b. Typickou "dobu zpoždění základního hradla" menší než 0,1 ns; nebo

c. Překlápěcí frekvenci (toggle frequency) přesahující 133 MHz;

Poznámka:

3A001.a.7. zahrnuje:

- Jednoduchá programovatelná logická zařízení (SPLDs)

- Složitá programovatelná logická zařízení (CPLDs)

- Programovatelná hradlová pole (FPGAs)

- Programovatelná logická pole (FPLAs)

- Programovatelné vnitřní spoje (FPICs)

Poznámka:

Uživatelem programovatelná logická zařízení (Field Programmable Logic Devices) jsou také známa jako uživatelem programovatelná hradla (Field programmable gates) nebo uživatelem programovatelná logická pole (Field programmable logic arrays)

8. Nevyužito;

9. Integrované obvody pro neuronové sítě;

10. Zákaznické integrované obvody, jejichž funkce není známá nebo kontrolní režim zařízení, ve kterém budou integrované obvody použity není výrobci znám, a které mají některou z dále uvedených charakteristik:

a. Více než 1000 vývodů;

b. Typickou "dobu zpoždění základního hradla" menší než 0,1 ns; nebo

c. Pracovní kmitočet větší než 3 GHz;

11. Číslicové integrované obvody jiné než popsané v 3A001.a.3. až 3A001.a.10. a 3A001.a.12., které jsou založeny na jakémkoli složeném polovodiči, a které mají některou z dále uvedených charakteristik:

a. Ekvivalentní počet hradel větší než 3000 (dvouvstupová hradla); nebo

b. Překlápěcí frekvenci překračující 1,2 GHz;

12. Procesory pro rychlou Fourierovu transformaci (FFT), které mají jmenovitou dobu provedení pro komplexní FFT s N body menší než (N log2 N)/20480 ms, kde N je počet bodů;

Technická poznámka:

Pokud se N rovná 1024 bodů, vzorec v 3A001.a.12. udává dobu provedení 500 μs.

b. Mikrovlnná zařízení nebo zařízení pracující s milimetrovými vlnami:

1. Vakuové elektronky a katody:

Poznámka l:

3A001.b.1. nekontroluje elektronky konstruované nebo určené pro činnost v kterémkoliv frekvenčním pásmu se všemi následujícími charakteristikami:

a. Nepřesahují 31 GHz; a

b. Jsou "přiděleny podle ITU" pro radiokomunikační služby, nikoliv však pro navigační rádiové služby.

Poznámka 2:

3A001.b.1. nekontroluje elektronky, které nejsou "vhodné pro kosmické aplikace", které mají všechny následující charakteristiky:

a. Průměrný výstupní výkon 50 W nebo menší; a

b. Jsou konstruovány nebo určeny pro činnost v kterémkoliv frekvenčním pásmu se všemi následujícími charakteristikami:

1. Přesahují 31 GHz, ale nepřesahují 43,5 GHz; a

2. Jsou "přiděleny podle ITU" pro radiokomunikační služby, nikoliv však pro navigační rádiové služby.

a. Elektronky s postupnou vlnou, impulsovou nebo trvalou vlnou:

1. Pracující při kmitočtech vyšších než 31 GHz;

2. Mající topný prvek katody s dobou náběhu na jmenovitý RF výkon menší než 3 s;

3. Elektronky s vázanou dutinou nebo jejich deriváty s "frakční šířkou pásma" více než 7 % nebo špičkovým výkonem převyšujícím 2,5 kW;

4. Elektronky s postupnou vlnou a elektrodou ve tvaru šroubovice nebo jejich deriváty, které mají některou z dále uvedených charakteristik:

a. "Okamžitou šířku pásma" větší než 1 oktáva při součinu jmenovitého průměrného výkonu (v kW) a kmitočtu (v GHz) větším než 0,5;

b. "Okamžitou šířku pásma" menší nebo rovnající se 1 oktávě při součinu jmenovitého průměrného výkonu (v kW) a kmitočtu (v GHz) větším než 1; nebo

c. Jsou "vhodné pro kosmické aplikace";

b. Zesilovací elektronky se zkříženými poli o zisku větším než 17 dB;

c. Impregnované katody vyvinuté pro elektronky, k výrobě trvalé emisní proudové hustoty při jmenovitých pracovních podmínkách přesahujících 5 A/cm2;

2. Mikrovlnné integrované obvody, které mají všechny následující charakteristiky:

a. Obsahují "monolitické integrované obvody", které mají jeden nebo více aktivních prvků obvodu; a

b. Pracují při kmitočtech přesahujících 3 GHz;

Poznámka 1:

3A001.b.2. nekontroluje obvody nebo moduly pro zařízení konstruované nebo určené pro činnost v kterémkoliv frekvenčním pásmu se všemi následujícími charakteristikami:

a. Nepřesahují 31 GHz; a

b. Jsou "přiděleny podle ITU" pro radiokomunikační služby, nikoliv však pro navigační rádiové služby.

Poznámka 2:

3A001.b.2. nekontroluje rozhlasové satelitní zařízení konstruované nebo určené pro činnost v kmitočtovém rozsahu od 40,5 GHz do 42,5 GHz.

3. Mikrovlnné tranzistory dimenzované pro provoz na kmitočtech přesahujících 31 GHz;

4. Mikrovlnné zesilovače v pevné fázi, které mají některou z dále uvedených charakteristik:

a. Pracovní kmitočty vyšší než 10,5 GHz a "okamžitou šířku pásma" větší než je polovina oktávy; nebo

b. Pracovní kmitočty vyšší než 31 GHz;

5. Elektronicky nebo magneticky laditelné pásmové propustě nebo zdrže, které mají více než 5 laditelných resonátorů s možností ladění 1,5 : 1 přes kmitočtové pásmo (fmax/fmin) za méně než 10 μs a které mají jednu z dále uvedených vlastností:

a. Šířku pásma propustě více než 0,5 % středového kmitočtu; nebo

b. Šířku pásma zdrže méně než 0,5 % středového kmitočtu;

6. Mikrovlnné montážní celky schopné pracovat při kmitočtech větších než 31 GHz;

7. Směšovače a konvertory vyvinuté k rozšíření kmitočtového rozsahu zařízení popsaných v 3A002.c., 3A002.e. nebo 3A002.f. nad tam uvedené mezní hodnoty;

8. Mikrovlnné zesilovače výkonu obsahující elektronky specifikované ve 3A001.b. a které mají všechny dále uvedené charakteristiky:

a. Pracovní kmitočet nad 3 GHz;

b. Průměrnou výstupní hustotu výkonu přesahující 80 W/kg; a

c. Objem menší než 400 cm3;

Poznámka:

3A001.b.8. nekontroluje zařízení konstruované nebo určené pro činnost v kterémkoliv frekvenčním pásmu, které je "přiděleno podle ITU" pro radiokomunikační služby, nikoliv však pro navigační rádiové služby.

c. Zařízení s akustickou vlnou a speciálně pro ně konstruované, dále uvedené, součásti:

1. Zařízení s povrchovou akustickou vlnou a s podpovrchovou akustickou vlnou (tj. zařízení na "zpracování signálů" používající elastické vlny v materiálech), které mají některou z dále uvedených charakteristik:

a. Nosný kmitočet větší než 2,5 GHz;

b. Nosný kmitočet přesahující 1 GHz, ale nepřesahující 2,5 GHz s některou z dále uvedených charakteristik:

1. Potlačení postranních laloků kmitočtu větší než 55 dB;

2. Součin maximální doby zpoždění a šířky pásma (doba v μs a šířka pásma v MHz) větší než 100;

3. Šířka pásma větší než 250 MHz; nebo

4. Disperzní zpoždění větší než 10 μs; nebo

c. Nosný kmitočet 1 GHz nebo nižší s některou z dále uvedených charakteristik:

1. Součin maximální doby zpoždění a šířky pásma (doba v μs a šířka pásma v MHz) větší než 100;

2. Disperzní zpoždění větší než 10 μs; nebo

3. Potlačení postranních laloků kmitočtu větší než 55 dB a šířku pásma větší než 50 MHz;

2. Zařízení s prostorovou akustickou vlnou (tj. zařízení na "zpracování signálu", která používají elastické vlny), jež dovolují přímé zpracování signálů při kmitočtech přesahujících 1 GHz;

3. Akusticko-optická zařízení na "zpracování signálů", která používají interakci mezi akustickými vlnami (prostorovými nebo povrchovými) a světelnými vlnami dovolující přímé zpracování signálů nebo obrazů, včetně spektrální analýzy, korelace nebo konvoluce;

d. Elektronická zařízení a obvody obsahující součástky vyrobené ze "supravodivých" materiálů speciálně určených pro činnost při teplotách pod "kritickou teplotou" alespoň jedné ze "supravodivých" složek, které mají některou z dále uvedených charakteristik:

1. Spínání proudu pro číslicové obvody používající "supravodivá" hradla se součinem doby zpoždění na jedno hradlo (v sekundách) a ztráty výkonu na jedno hradlo (ve wattech) menším než

-14

10 J; nebo

2. Frekvenční selekci při všech kmitočtech, kde jsou použity resonanční obvody s hodnotami jakosti Q přesahujícími 10000;

e. Vysokoenergetická zařízení:

1. Baterie a foto-voltaické generátory:

Poznámka:

3A001.e.1. nekontroluje baterie s objemy rovnajícími se nebo menšími než 27 cm3 (např. standardní články nebo baterie R14).

a. Primární články a baterie, které mají 'hustotu energie' přesahující 480 Wh/kg a dimenzované pro provoz v teplotním rozmezí od méně než 243 K (-30 °C) do více než 343 K (+70 °C);

b. Opakovaně nabíjitelné články a baterie, které mají 'hustotu energie' přesahující 150 Wh/kg po 75 cyklech nabití/vybití při vybíjecím proudu C/5 hodin (kde C je jmenovitá kapacita v ampérhodinách), když pracují v teplotním rozmezí od méně než 253 K (-20 °C) do více než 333 K (60 °C);

Technická poznámka:

'Hustota energie' se získá násobením průměrného výkonu ve wattech (součin průměrného napětí ve voltech a průměrného proudu v ampérech) dobou vybíjení v hodinách na 75 % naprázdno a vydělením celkovou hmotností článku (nebo baterie) v kg.

c. "Vhodné pro kosmické aplikace" a radiačně odolná pole fotočlánků s měrným výkonem přesahujícím 160 W/m2 při pracovní teplotě 301 K (28 °C) při osvětlení wolframovou žárovkou o světelném toku 1 kW/m2 a teplotě vlákna 2800 K (2527 °C);

2. Vysokoenergetické akumulační kondenzátory:

Viz také 3A201.a.

a. Kondenzátory s opakovacím kmitočtem méně než 10 Hz (jednorázové akumulační kondenzátory), které mají všechny dále uvedené charakteristiky:

1. Jmenovité napětí rovné nebo větší než 5 kV;

2. Hustotu energie rovnou nebo větší než 250 J/kg; a

3. Celkovou energii rovnou nebo větší než 25 kJ;

b. Kondenzátory s opakovacím kmitočtem 10 Hz nebo větším, které mají všechny dále uvedené charakteristiky:

1. Jmenovité napětí rovné nebo větší než 5 kV;

2. Hustotu energie rovnou nebo větší než 50 J/kg;

3. Celkovou energii rovnou nebo větší než 100 J; a

4. Životnost rovnou nebo větší než 10000 cyklů nabití/vybití;

3. "Supravodivé" elektromagnety nebo solenoidy speciálně konstruované k plnému nabití nebo vybití za méně než jednu sekundu, které mají všechny dále uvedené charakteristiky:

Viz také 3A201.b.

Poznámka:

3A001.e.3. nekontroluje "supravodivé" elektromagnety nebo solenoidy speciálně konstruované pro lékařské přístroje k zobrazování magnetické rezonance (MRI).

a. Energii dodanou během vybití překračující 10 kJ během první sekundy;

b. Vnitřní průměr vinutí vedoucích proud větší než 250 mm; a

c. Jsou dimenzovány pro magnetickou indukci větší než 8 T nebo "celkovou proudovou hustotu" ve vinutí větší než 300 A/mm2;

f. Snímače absolutní polohy se vstupem z otočného hřídele, které mají některou z dále uvedených charakteristik:

1. Rozlišení lepší než 1/265000 (rozlišení 18 bitů) z celého rozsahu stupnice; nebo

2. Přesnost lepší než ± 2,5 úhlové vteřiny.